Epitaksi LED biru/hijau

Penerangan ringkas:

Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SiC.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Epitaksi LED biru/hijau daripada semicera menawarkan penyelesaian termaju untuk pembuatan LED berprestasi tinggi. Direka bentuk untuk menyokong proses pertumbuhan epitaxial termaju, teknologi epitaksi LED Biru/hijau semicera meningkatkan kecekapan dan ketepatan dalam menghasilkan LED biru dan hijau, kritikal untuk pelbagai aplikasi optoelektronik. Menggunakan Si Epitaxy dan SiC Epitaxy yang terkini, penyelesaian ini memastikan kualiti dan ketahanan yang sangat baik.

Dalam proses pembuatan, MOCVD Susceptor memainkan peranan penting, bersama-sama dengan komponen seperti PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, dan RTP Carrier, yang mengoptimumkan persekitaran pertumbuhan epitaxial. Epitaksi LED Biru/hijau Semicera direka untuk memberikan sokongan yang stabil untuk Susceptor Epitaxial LED, Susceptor Barrel dan Silikon Monocrystalline, memastikan penghasilan hasil yang konsisten dan berkualiti tinggi.

Proses epitaksi ini penting untuk mencipta Bahagian Fotovoltaik dan menyokong aplikasi seperti GaN pada SiC Epitaxy, meningkatkan kecekapan semikonduktor keseluruhan. Sama ada dalam konfigurasi Pancake Susceptor atau digunakan dalam persediaan lanjutan lain, penyelesaian epitaksi LED Biru/hijau semicera menawarkan prestasi yang boleh dipercayai, membantu pengeluar memenuhi permintaan yang semakin meningkat untuk komponen LED berkualiti tinggi.

Ciri-ciri utama:

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:

rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.

2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.

4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama bagiSalutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (CTE)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300