Pengeluar, Pembekal, Kilang Wafer China
Apakah wafer semikonduktor?
Wafer semikonduktor ialah kepingan nipis, bulat bahan semikonduktor yang berfungsi sebagai asas untuk fabrikasi litar bersepadu (IC) dan peranti elektronik lain. Wafer menyediakan permukaan rata dan seragam di mana pelbagai komponen elektronik dibina.
Proses pembuatan wafer melibatkan beberapa langkah, termasuk mengembangkan kristal tunggal besar bahan semikonduktor yang dikehendaki, menghiris kristal menjadi wafer nipis menggunakan gergaji berlian, dan kemudian menggilap dan membersihkan wafer untuk menghilangkan sebarang kecacatan permukaan atau kekotoran. Wafer yang dihasilkan mempunyai permukaan yang sangat rata dan licin, yang penting untuk proses fabrikasi seterusnya.
Setelah wafer disediakan, mereka menjalani satu siri proses pembuatan semikonduktor, seperti fotolitografi, etsa, pemendapan, dan doping, untuk mencipta corak dan lapisan rumit yang diperlukan untuk membina komponen elektronik. Proses ini diulang beberapa kali pada satu wafer untuk mencipta berbilang litar bersepadu atau peranti lain.
Selepas proses fabrikasi selesai, cip individu dipisahkan dengan memotong wafer mengikut garisan yang telah ditetapkan. Cip yang dipisahkan kemudiannya dibungkus untuk melindunginya dan menyediakan sambungan elektrik untuk penyepaduan ke dalam peranti elektronik.
Bahan yang berbeza pada wafer
Wafer semikonduktor dibuat terutamanya daripada silikon kristal tunggal kerana kelimpahannya, sifat elektrik yang sangat baik, dan keserasian dengan proses pembuatan semikonduktor standard. Walau bagaimanapun, bergantung pada aplikasi dan keperluan tertentu, bahan lain juga boleh digunakan untuk membuat wafer. Berikut adalah beberapa contoh:
Silikon karbida (SiC) ialah bahan semikonduktor celah jalur lebar yang menawarkan sifat fizikal yang unggul berbanding bahan tradisional. Ia membantu mengurangkan saiz dan berat peranti diskret, modul, dan juga keseluruhan sistem, sambil meningkatkan kecekapan.
Ciri-ciri Utama SiC:
- -Jurang jalur lebar:Celah jalur SiC adalah kira-kira tiga kali ganda daripada silikon, membolehkan ia beroperasi pada suhu yang lebih tinggi, sehingga 400°C.
- -Bidang Pecahan Kritikal Tinggi:SiC boleh menahan sehingga sepuluh kali ganda medan elektrik silikon, menjadikannya sesuai untuk peranti voltan tinggi.
- -Konduktiviti Terma Tinggi:SiC menghilangkan haba dengan cekap, membantu peranti mengekalkan suhu operasi optimum dan memanjangkan jangka hayatnya.
- -Kelajuan Hanyutan Elektron Tepu Tinggi:Dengan dua kali ganda halaju drift silikon, SiC membolehkan frekuensi pensuisan yang lebih tinggi, membantu dalam pengecilan peranti.
Aplikasi:
-
-Elektronik Kuasa:Peranti kuasa SiC cemerlang dalam persekitaran voltan tinggi, arus tinggi, suhu tinggi dan frekuensi tinggi, meningkatkan kecekapan penukaran tenaga dengan ketara. Ia digunakan secara meluas dalam kenderaan elektrik, stesen pengecasan, sistem fotovoltaik, pengangkutan rel dan grid pintar.
-
-Komunikasi Gelombang Mikro:Peranti GaN RF berasaskan SiC adalah penting untuk infrastruktur komunikasi tanpa wayar, terutamanya untuk stesen pangkalan 5G. Peranti ini menggabungkan kekonduksian terma cemerlang SiC dengan keluaran RF frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi GaN, menjadikannya pilihan pilihan untuk rangkaian telekomunikasi frekuensi tinggi generasi seterusnya.
Galium nitrida (GaN)ialah bahan semikonduktor celah jalur lebar generasi ketiga dengan celah jalur yang besar, kekonduksian haba yang tinggi, halaju hanyutan tepu elektron yang tinggi dan ciri medan pecahan yang sangat baik. Peranti GaN mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam kawasan frekuensi tinggi, berkelajuan tinggi dan berkuasa tinggi seperti lampu penjimatan tenaga LED, paparan unjuran laser, kenderaan elektrik, grid pintar dan komunikasi 5G.
Gallium arsenide (GaAs)ialah bahan semikonduktor yang terkenal dengan frekuensi tinggi, mobiliti elektron yang tinggi, output kuasa tinggi, hingar rendah dan kelinearan yang baik. Ia digunakan secara meluas dalam industri optoelektronik dan mikroelektronik. Dalam optoelektronik, substrat GaAs digunakan untuk mengeluarkan LED (diod pemancar cahaya), LD (diod laser), dan peranti fotovoltaik. Dalam mikroelektronik, ia digunakan dalam pengeluaran MESFET (transistor kesan medan logam semikonduktor), HEMT (transistor mobiliti elektron tinggi), HBT (transistor bipolar heterojunction), IC (litar bersepadu), diod gelombang mikro, dan peranti kesan Hall.
Indium fosfida (InP)ialah salah satu semikonduktor kompaun III-V yang penting, yang terkenal dengan mobiliti elektron yang tinggi, rintangan sinaran yang sangat baik, dan jurang jalur lebar. Ia digunakan secara meluas dalam industri optoelektronik dan mikroelektronik.
